دیتاشیت SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHB33N60EF-GE3
حجم فایل 94.83 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHB33N60EF-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 278W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 155nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3454pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 98mΩ@10V,16.5A
  • Package: D2PAK(TO-263)
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه